Vzhľadom na to, že trh s elektrickými vozidlami (EV) neustále rýchlo rastie, sú PTC ohrievače čoraz dôležitejšou súčasťou a rastú aj požiadavky na ich testovacie normy.

Minimalizácia spínacích strát zostáva hlavnou výzvou pre vývojárov výkonových polovodičových zariadení na báze SiC a GaN. Štandardnou metódou merania spínacích parametrov a hodnotenia dynamického správania tranzistorov Si, SiC a GaN MOSFET a IGBT je dvojpulzný test.

Meranie zemného odporu je nevyhnutné na overenie správneho fungovania uzemňovacích systémov po inštalácii a počas pravidelnej údržby. Prečítajte si, ako zabezpečiť meranie v extrémnych podmienkach.